本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材《半导体器件物理（第二版）》（孟庆巨、刘海波、孟庆辉等编著）的配套教学辅导资料。全书共分为11章，内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属一半导体结、结型场效应晶体管和金属一半导体场效应晶体管、金属一氧化物一半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器。书末还给出了近几年吉林大学“微电子学与固体电子学”国家重点学科研究生入学考试试题及参考答案。
本书可供电子科学与技术、微电子学、光电子技术等专业师生在半导体器件物理课程的教学中使用，也可供有关工程技术人员和科研工作者参考。
丛书序
前言
第1章 半导体物理基础
1.1 知识点归纳
1.载流子的统计分布
2.电荷输运现象
3.非均匀半导体中的内建场
4.准费米能级
5.复合机制
6.表面复合和表面复合速度
7.半导体中的基本控制方程
1.2 习题解答
第2章 PN结
2.1 知识点归纳
1.热平衡PN结
2.偏压的PN结
3.理想PN结二极管的直流电流电压特性
4.空间电荷区复合电流和产生电流
5.隧道电流
6.温度对PN结I-V特性的影响
7.耗尽层电容、求杂质分布和变容二极管
8.PN结二极管的频率特性
9.PN结二极管的开关特性
10.PN结击穿
2.2 基本概念与问题
2.3 理论推导与命题证明
2.4 图表解析与应用
2.5 习题解答
第3章 双极结型晶体管
3.1 知识点归纳
1.基本工作原理（以NPN型为例）
2.理想双极结型晶体管中的电流传输
3.埃伯斯一莫尔（Ebers—Moll）方程
4.缓变基区晶体管（Gummel-Poon模型）
5.基区扩展电阻和电流集聚效应
6.基区宽度调变效应
7.晶体管的频率响应
8.混接兀模型等效电路
9.晶体管的开关特性
10.反向电流和击穿电压
3.2 基本概念与问题
3.3 理论推导与命题证明
3.4 图表解析与应用
3.5 习题解答
第4章 金属一半导体结
4.1 知识点归纳
1.肖特基势垒
2.界面态对势垒高度的影响
3.镜像力对势垒高度的影响
4.肖特基势垒二极管的电流一电压特性
5.金属_绝缘体半导体肖特基二极管
6.肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较
7.欧姆接触——非整流的M-S结
4.2 基本概念与问题
4.3 理论推导与命题证明
4.4 图表解析与应用
4.5 习题解答
第5章 结型场效应晶体管和金属一半导体场效应晶体管
5.1知识点归纳
1.理想JFET的I-V特性
2.静态特性
3.小信号参数和等效电路
4.JFET的最高工作频率
5.沟道长度调制效应
6.金属半导体场效应晶体管
7.JFET和MESFET的类型
……
第6章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
第7章 电荷转移器件
第8章 半导体太阳电池和光电二极管
第9章 发光二极管和半导体激光器
第10章 吉林大学硕士研究生入学考试“半导体器件物理”试题
第11章 吉林大学硕士研究生入学考试“半导体器件物理”试题参考答案
装 帧：平装
页 数：208
版 次：1
开 本：16开
纸 张：胶版纸
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